シールドのない加熱プレートが高周波メッキ整流器とともに電流変動を生成する理由{0}}

整流器-加熱プレートの磁気結合によって生じるコーティングの厚さの変動

高周波スイッチング整流器は、低リップル出力電流を供給するために精密電子部品のめっきに広く採用されています。- -電子コーティング ラボから収集された長期電力テスト データには、標準のシールドなし加熱プレートが整流器バスバーの近くに取り付けられている場合の周期的な電流変動と不均一なワークピースのコーティング厚さが記録されています。ほとんどの電気技術者は、整流器の出力を安定させるためにフィルタ コンデンサを追加するだけで、発生源での電磁相互干渉をカットするために加熱プレートの内部配線やシールド構造を最適化することはありません。- -加熱プレート内の高周波交流は、整流器の DC バスラインと電極ラックに結合する交流磁場を生成します。重畳された漂遊磁気信号は、めっき浴内の均一なイオン移動を歪め、マイクロコンポーネント、チップピン、回路基板の配線上で周期的な厚さの変動を引き起こします。-加熱プレートがアノード-アセンブリから 40 cm 以内に取り付けられていると干渉が激化し、古い加熱プレートの老朽化した乱れた内部配線により磁気放射が大幅に増幅されます。超精密-低電流めっきプロセスでは、-わずかな電磁結合でもバッチのスクラップ損失につながります。

加熱プレートの 2 つのコア シールド設計パラメータ

対称的な内部配線ルーティングと完全な絶縁シールド シェルの完全性により、高周波整流器に対する耐干渉性能が決まります。{0}{1}従来のランダムに配線された加熱ハードウェアは漂遊磁気放射を相殺することができませんが、一体成形された PTFE 加熱プレートは磁気結合を抑制するためにバランスのとれたシールド レイアウトを採用しています。混沌とした単一行配線は、継続的に外側に放射する不均衡な磁場ベクトルを生成します。薄い外部絶縁体が不完全なため、磁気波がタンクの電極領域に自由に侵入します。バージン成型 PTFE 加熱プレートは、部分的な磁束を阻止するために 2 列の対称ワイヤ レイアウトを使用し、厚いシームレスな不活性シェルと組み合わせて電磁漏れを隔離し、整流器電流リップル歪みを低減します。

高周波整流器のマッチング加熱プレートのベンチマーク テーブル

継続的な高周波電力エージング試験データにより、整流器の出力電流グレードに基づいて標準化されたシールドと配線の仕様が確立されます。-

表 1: 加熱プレートの抗 EMI シールド規格-

整流器干渉抑制設置ガイド

低リップル高周波整流器を備えた微小電流精密めっきラインでは、完全に対称な二重線シールド加熱プレートを配置し、電極ラックからの取り付け間隔を最大限に維持する必要があります。{{1}内部設置スペースが限られている生産タンクでは、短い隙間距離を補うために特別に厚いシールド加熱プレートが必要です。-配線が乱雑に絡み合った古い加熱プレートは完全に交換する必要があります。乱雑な内部回路により電磁放射強度が 2 倍になり、整流器の安定した動作が妨げられるためです。制御された電力の比較データは、シールドされていない通常の加熱プレートがコーティング厚さのリップル偏差を±1.4μm以上押し出す一方、対称的に配線された完全に絶縁されたPTFE加熱プレートは、同一の整流器動作パラメータの下で半導体メッキの厳密な精度公差を維持することを示しています。

概要と-EMI シールド付きカスタム加熱プレートのサポート

標準的な加熱プレートのアンバランスな内部配線と不十分な絶縁シールドにより、浮遊電磁場が発生し、高周波整流器の出力の安定性が妨げられ、めっきの精度の均一性が損なわれます。{0}}プラントの電気チームとプロセス チームは、整流器電流グレーディング ベンチマーク テーブルを参照して、加熱プレートの設置レイアウトを調整したり、干渉防止熱ハードウェアをアップグレードしたりできます。-カスタムの二重-列対称厚手シールド PTFE 加熱プレートは、微小電流高周波-精密めっきタンク用に製造できます。電気化学パワーエンジニアは、整流器の定格電流、タンク内部寸法、電極アセンブリの配置図を提出した後、完全な電磁干渉シミュレーションレポートとタンク内部レイアウト提案を提供できます。